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今年会 | 官方网站 0.11 Ultra-low Leakage

 

今年会 | 官方网站 Overview
        公司 0.11 ULL接纳了铝互连手艺,,,,,,,,1P8M 架构,,,,,,,,提供1.5V 内核器件及3.3V 输入输出器件,,,,,,,,具备超低泄电特点,,,,,,,,器件特征Ioff (pA/um)<0.5。 。。。。。

 

今年会 | 官方网站 Key Features 
- Single poly, eight-metal-layer process
- Al backend with low-K FSG material
- Device Ioff (typical) <0.5 pA/um

 

今年会 | 官方网站 Applications
- MCU
- IOT


 

今年会 | 官方网站 0.11 ULL flash 

 

今年会 | 官方网站 Overview
        公司 0.11 ULL flash 工艺是基于0.11 ULL工艺嵌入flash, 逻辑器件与ULL兼容。 。。。。。提供超低功耗模拟IP。 。。。。。

 

今年会 | 官方网站 Key Features
- Double poly, eight-metal-layer process
- Al backend with low-K FSG material
- Competitive flash macro cell size

 

今年会 | 官方网站 Application 
- MCU
- IOT

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